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MEBP-200P互感器綜合測(cè)試儀低頻法測(cè)試原理

來(lái)源：武漢摩恩    更新時(shí)間：2018-04-23

MEBP-200P互感器綜合測(cè)試儀低頻法測(cè)試原理

IEC60044-6 標(biāo)準(zhǔn)（對(duì)應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) GB16847-1977）聲稱，CT的測(cè)試可以在比額定頻率低的情況下進(jìn)行，

避免繞組和二次端子承受不能容許的電壓。
CT伏安特性測(cè)量的原理電路如下圖：CT一次側(cè)開(kāi)路，從二次側(cè)施加電壓，測(cè)量所加電壓 V 與輸入電流 I 

的關(guān)系曲線。此曲線近似 CT 的勵(lì)磁電勢(shì) E 與勵(lì)磁電流 I 的關(guān)系曲線。

設(shè) CT勵(lì)磁繞組在某一勵(lì)磁電流 I 時(shí)的激磁電感為 L，激磁阻抗為 Z，則：

        V = I?Z 
電感 L與阻抗 Z之間具有下述關(guān)系：
         Z = ω?L = 2πfL 
則：V= I?2πfL
由公式中可見(jiàn)在某一激磁電感L時(shí)所加電壓V與頻率 f 成正比關(guān)系。
假設(shè)當(dāng) f = 50Hz時(shí)，為達(dá)到勵(lì)磁電流 Ix，所需施加的電壓 Vx為 2000V
Vx = Ix?2 π f L = 2000V， 
若施加不同頻率：
f = 50Hz，Vx ＝ 2000V
f = 5Hz， Vx ≌ 200V
f = 0.5Hz，Vx ≌ 20V
由此可見(jiàn)需要使 CT進(jìn)入相同飽和程度，施加較低頻率信號(hào)所需電壓可以大幅度降低這就是變頻法的基本

原理。
在此必須嚴(yán)格注意，所需電壓并非與頻率呈線性比例關(guān)系，并非隨著頻率等比例降低，需要嚴(yán)格按照互

感器的精確數(shù)學(xué)模型進(jìn)行完整的理論計(jì)算。

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